Все дипломы
Электротехника
Добавить в закладки

<< В начало | < Предыдущая | Содержание | Следующая > | В конец >>

Бобровский П. Л.

Бобровский Павел Леонидович, кандидат технических наук. Родился 16 октября 1956 года в городе Находка Приморского края. ...
далее



Мудро о науке

...каждый выдающийся исследователь вносит свое имя в историю науки не только собственными открытиями, но и теми открытиями, к которым он побуждает других.



Аналогичным образом строится схема “И-НЕ”

Рис.9.4. Построение схемы “И-НЕ”

Если на входе -“0” , то в точке соединения анодов диодов будет напряжение, равное прямому падению напряжения на диод, что соответствует логической “0” в диодном элементе. Это прямое напряжение через R2 будет действовать на базу транзистора V. Уровня прямого падения напряжения может быть уже достаточно, чтобы создать ток базы и приоткрыть транзистор, а он в этом случае должен быть закрыт. Для обеспечения надежного закрывания транзистора включают резистор R3, который с R2 образует делитель , который обеспечивает между базой и эмиттером транзистора V напряжение , значительно меньшее, чем прямое падение напряжения. При этом , если V- кремниевый, то он будет закрыт. На выходе - “1”.

При действии хотя бы на одном из входов логической “1” происходит закрывание диода в цепи соответствующего входа, но в точке соединения анодов остается прямое падение напряжения. Остается неизменным и закрытое состояние транзисторного ключа с высоким уровнем напряжения на выходе.

И только при действии логической “1” на всех входах схемы, все диоды закрываются, и от источника питания по цепи “R1-R2” будет создан необходимый ток базы, который переводит транзистор в режим насыщения , открывая его. .

В схемах логических устройств обычно к выходу каждого логического элемента подключается несколько входов последующих логических элементов. Это количество подключаемых последующих входов ограничено нагрузочной способностью и называется коэффициентом разветвления логического элемента.

При изготовлении универсальных логических элементов в интегральном исполнении должен обеспечиваться высокий коэффициент разветвления (для возможности построения схем достаточной сложности). С этой целью в интегральных логических элементах в качестве транзисторного ключа применяется ключ не на одном транзисторе, а более сложный, с эмиттерным повторителем на выходе, обеспечивающим малое выходное сопротивление и высокий коэффициент разветвления.

Рис. 9.5. ТК в ИМС.


<< В начало | < Предыдущая | Содержание | Следующая > | В конец >>

Искать на сайте


Цитата

...«2. СОГЛАСОВАНИЕ ИСТОЧНИКА СИГНАЛА И НАГРУЗКИ С УПТ В УПТ в качестве усилительных каскадов могут при»...
подробнее

Партнеры

Предлагаем кофемашины delonghi отзывы и другую высококачественную бытовую технику |
Голосование читателей
У вас ум за разум заходит?
Он всегда там.
Редко
Скорее наоборот


Мнения пользователей
это просто детский сад...
Автор: Александр
Спасибо. хоть что-то....
Автор: Виктория
спасибо! просто и доходчиво!...
Автор: ЕВГЕНИЙ
Спасибо огромное....
Автор: Алексей


Наука России - Наше будущее!
песок обнинск доставка рейтинг